继电器驱动ic芯片-瑞泰威科技(在线咨询)-恩平驱动ic芯片

LED电源驱动IC烧掉是什么原因引起的

LED电源驱动IC烧掉的原因有电器元件IC本身有问题，也可能是电流电压过高。

LED需要的电流和电压的稳定组件，在工作时，应当具有高的分压电压和低功耗的，否则，的LED会降低整个系统的效率，因为工作消耗高，矛盾的原则，节能和。因此，继电器驱动ic芯片，主电流限制电路，应使用***的电路，如电容，电感或与电源开关电路，因为它有可能代替电阻或串联稳压电路的LED系统，以确保。系列恒功率输出电路，可以在广泛的电源LED的光输出保持不变，但会失去一些正常的IC电路效率。通过与电源开关电路是能保证恒定的功率输出下具有高的转印效率的电源供应器的戏剧性的电压变化。

12v直流电机驱动电路芯片选型

　L9110 是为控制和驱动电机设计的两通道推挽来式功率放大专用集成电路器件，将自分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片有两个TTL/CMOS兼容电平的输入，可直接与单片机百接口，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机的正反向运动，它具有较大的电流驱动能力，每通道能通过750~800mA 的持续电流，恩平驱动ic芯片，峰值电流能力可达1.5~2.0A;同时它具有较低的输出饱和压降；内度置的钳位二极管能释放***负载的反向冲击电流，功放驱动ic芯片损坏，使它在问驱动继电器、直流电机、步进电机或开关答功率管的使用上安全可靠。L9110 被广泛应用于玩具汽车电机驱动、步进电机驱动和开关功率管等电路上。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，国产驱动ic芯片企业，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

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