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近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：

（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，vcm驱动ic厂家，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。输入电容Ciss包括栅——源之间的电容CGS和栅——漏之间的电容CGD。 MOSFET和 IGBT的开通和关断实质上是对其输入电容的充放电过程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，栅极电压VGS的上升时间tr和下降时间tf决定输入回路的时间常数，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是输入回路电阻，其中包括驱动电源的内阻Ri。从上式中可以知道驱动电源的内阻越小，驱动速度越快。

（2）驱动电路延迟时间要小。开关频率越高，延迟时间要越小。

（3）大功率IGBT在关断时，有时须加反向电压，以防止受到干扰时误开通。

（4）驱动信号有时要求电气隔离。

以PWM DC-DC全桥变换器为例，面板驱动ic厂家排名，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，是刚好相反的，即一只开关管开通，另一只开关管要关断，或者同时关断。其中，两只上臂的开关管之间和下臂的开关管必须隔离。对于中小功率的驱动电路，用脉冲变压器的方法实现隔离为简单，而在大功率的应用场合，则要使用集成驱动器驱动。

LED驱动电源是否一定要用(mosfet器件)MOS管应从产品性价比、系统来散热（包括电源本身和灯具）几方面考虑，并不一定要求LED电源要用MOS管：

1、从散源热角度考虑：LED驱动电源和LED灯珠既是热源体又是受热体，根据多年设计经验，我们赛明源电源在设计30W以上电源时全部使用MOS管与控制IC分离方案。因为百，就现有技术（截止2015年）内置MOS管方案超过30W以上电源散热就是问题，系统很难保证其稳定性；

2、从度性价比上考虑：在设计30W以下LED电源时，手机驱动ic厂家***，赛明知源电源有些采用内置MOS管方案道，因为这种方案已经成熟，散热不是问题，系统稳定性较高。小功率LED电源可以不用考虑使用MOS，再说内置MOS方案EMC指标很容易通过。

半桥全桥复的驱动电路是使功率管产生交流制电的触发信号，并不是将交流信号变直流信号。百即使单片度机可以输出直流信号，但是它问的驱动能力也是有限的，番禺区驱动ic厂家，所以单片机一般做驱动答信号，驱动大的功率管，来产生大电流从而才能驱动电机。

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