数字电压-驱动芯片电子驱动ic-数字电压表的设计原理

接口的强大功能：一是简化模块之间的连接；二是实现类和模块之间的通信。可以说接口的功能固然强大，但是问题又来了：

首先，因为事务交易处理器中的方法采用了层次化应用的方式去访问对应端口的信号，所以我们只能为两个相同功能的接口分别编写两个几乎一样的事务交易处理器，为什么呢？因为采用的是层次化的应用，假如设计中的某个引脚名字需要修改，我们只能修改驱动这个端口的方法！这样还是有点繁琐，那么sv中有了虚接口的概念，大量程数字电压表，事情就会变得更加简单了！

到底是如何操作的呢？

虚接口和对应的通用方法可以把设计和验证平台分隔开来，保证其不受设计改动的影响。当我们对一个设计的引脚名字进行改动的时候，我们无须改动驱动这个接口的方法，而是只需要在例化该事务交易处理器的时候，数字电压表的设计原理，给虚接口绑定对应连接的实体接口即可。以此来实现事务交易处理器的更大重用性。

虚接口的定义：

virtual interface_type variable;

虚接口可以定义为类的一个成员，数字电压定义，可以通过构造函数的参数或者过程进行初始化。

虚接口应用的具体步骤：

到此，我们就可以在事务交易处理器中，编写针对该接口的通用方法（如request和wait_for_bus），只要针对虚接口进行操作就可以，而该虚接口不针对特定的具体器件，只有在事务交易处理器的对象例化创建时，根据具体传递给他参数确定。

EM (electron migration，电子迁移)

“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而终使得IC报废。温度越高，数字电压，电子流动所产生的作用就越大，其彻底***IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。

NBTI 、HCI、TDDB

这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。

罪魁祸首 ： SiOHSiOH

MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH，问题由此产生。

1、 需求分析。分析用户或市场的需求，并将其翻译成对芯片产品的技术需求。

2、 算法设计。设计和优化芯片中所使用的算法。这一阶段一般使用语言（如C﹨C ），利用算法级建模和工具（如Matlab，SPW）进行浮点和定点的，进而对算法进行评估和优化。

3、 架构设计。根据设计的功能需求和算法分析的结果，设计芯片的架构，并对不同的方案进行比较。选择性能价格方案。这一阶段可以使用SystemC语言对芯片价格进行建模和分析。

4、 RTL设计。使用HDL语言完成对设计实体的RTL级描述。这一阶段使用VHDL或Verilog HDL语言的输入工具编写代码。

1、 需求分析。分析用户或市场的需求，并将其翻译成对芯片产品的技术需求。

2、 算法设计。设计和优化