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?为什么需要MOSFET驱动器？

要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够，输出电压也没有这么高，所以需要驱动器抄。有些控制芯片如UCC28***3自身集成了驱动器，可以直接驱动小容量MOSFET。

MOSFET不需要电流zhidao，是因为沟道开通后，不需要像BJT那样必须维持一个基极电流Ib，但在沟道从关闭到到开通前，必须用瞬态大电流给MOSFET栅极电容充电。

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LED 电流可通过专用引脚上的高奥姆电阻轻松调整，IC 供电电压范围介于 6 V 至 42 V 之间。具备智能型过热控制电路设计，可在温度上升时保持恒定电流，提供安全可靠的运作效能，并延长 LED 系统寿命。此外，驱动器只会在接面温度变得很高时降低 LED 电流。BCR431U 拥有可低达 1% 等级的调光亮度，对多种 LED 灯条设计***吸引力。

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IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，数码驱动ic，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，音频驱动ic，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

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