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数字芯片设计操作？

数字芯片设计者在层次化物理设计环境中完成从门级网表到布局布线收敛的重要工具，可以帮助您将Timing、Area和Power与您的设计进行匹配，JupiterXT通过下面的方法来管理和优化您的设计：

1、 物理版图的层次化管理

2、 的面积、寄生参数和时序估计

3、层次化布局布线流程中，的子模块时序加载

Hercules

作为物理验证的者，Hercules-II能验证超过1亿只晶体管的微处理器、超过1000万门的ASIC和256MB的DRAM，推动技术前沿不断进步。Hercules通过提供快的运行时间和高速有效的纠错（debugging）来缩短IC设计的周期。不同数字器件有不同的制程,所以需要不同的供电电压,因此更需要电源管理这一模拟技术，随着数字技术的发展,模拟技术分布于数字技术周边,与数字技术密不可分。它综合且强大的图形界面能迅速帮助设计者发现并处理设计错误。Herculus具有进行层次设计的成熟算法，进行flat processing的优化引擎和自动确定如何进行每个区域数据处理的能力—这些技术缩短了运行时间，提高了验证的度。

NanoSim (Star-SIMXT)

　　NanoSim集成了业界的电路技术，支持Verilog-A和对VCS器的接口，能够进行电路的工具，其中包括存储器和混合信号的。DFTCompiler同时支持RTL级、门级的扫描测试设计规则的检查，以及给予约束的扫描链插入和优化，同时进行失效覆盖的分析。通过Hierarchical Array Reduction (HAR)技术，NanoSim 几乎可以无限大的存储器阵列。

数字ic后端设计(一)

1. 数据准备。

　　对于 CDN 的 Silicon Ensemble而言后端设计所需的数据主要有是Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/O Pad的库文件，它包括物理库、时序库及网表库，分别以.lef、.tlf和.v的形式给出。所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是一段时间以后的问题。前端的芯片设计经过综合后生成的门级网表，具有时序约束和时钟定义的脚本文件和由此产生的.gcf约束文件以及定义电源Pad的DEF（DesignExchange Format）文件。(对synopsys 的Astro 而言，经过综合后生成的门级网表，时序约束文件 SDC是一样的,Pad的定义文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件就与FRAM, CELL view, LM view 形式给出(Milkway 参考库 and DB, LIB file)

　　2. 布局规划。

　　主要是标准单元、I/O Pad和宏单元的布局。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，whoknows。I/OPad预先给出了位置，而宏单元则根据时序要求进行摆放，标准单元则是给出了一定的区域由工具自动摆放。布局规划后，芯片的大小，Core的面积，Row的形式、电源及地线的Ring和Strip都确定下来了。如果必要在自动放置标准单元和宏单元之后，你可以先做一次PNA(power network analysis）--IR drop and EM .

　　3. Placement -自动放置标准单元。

　　布局规划后，宏单元、I/O Pad的位置和放置标准单元的区域都已确定，这些信息SE（SiliconEnsemble）会通过DEF文件传递给(PhysicalCompiler),PC根据由综合给出的.DB文件获得网表和时序约束信息进行自动放置标准单元，同时进行时序检查和单元放置优化。芯片也有它独特的地方，广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。如果你用的是PC Astro那你可用write_milkway, read_milkway 传递数据。

IC半导体的基础知识(三)

杂质半导体 在本征半导体中，如果掺入微量的杂质(某些特殊元素)，将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电能力显著改变。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为电子型半导体(N型)和空穴型半导体(P型)两大类。

1.N型半导体

若在纯净的硅晶体中掺入微量的五价元素(如磷)，这样，硅原子占有的某些位置会被掺入的微量元素(如磷)原子所取代。而整个晶体结构基本不变。“芯片”和“集成电路”这两个词经常混着使用，比如在大家平常讨论话题中，集成电路设计和芯片设计说的是一个意思，芯片行业、集成电路行业、IC行业往往也是一个意思。磷原子与硅原子组成共价键结构只需四个价电子，而磷原子的外层有五个价电子，多余的那个价电子不受共价键束缚，只需获得很少的能量就能成为自由电子。由此可见，掺入一个五价元素的原子，就能提供一个自由电子。必须注意的是，产生自由电子的同时并没有产生空穴，但由于热运动原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。所以，只要在本征半导体中掺入微量的五价元素，就可以得到大量的自由电子，且自由电子数目远比掺杂前的电子空穴对数目要多得多。

这种以自由电子导电为主要导电方式的杂质半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。N型半导体中存在着大量的自由电子，这就提高了电子与空穴的复合机会，相同温度下空穴的数目比掺杂前要少。质量（Quality）就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（SPEC）的要求，是否符合各项性能指标的问题。所以，在N型半导体中，电子是多数载流子(简称多子)，空穴是少数载流子(简称少子)。N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质浓度越高，自由电子数目越大，导电能力也就越强。

在N型半导体中，一个杂质原子提供一个自由电子，当杂质原子失去一个电子后，就变为固定在晶格中不能移动的正离子，但它不是载流子。因此，N型半导体就可用正离子和与之数量相等的自由电子去表示。