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图像传感器

图像传感器是应用光电器件的光电转换功用。将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。与光敏二极管，光敏三极管等“点”光源的光敏元件相比，图像传感器是将其受光面上的光像，分红许多小单元，将其转换成可用的电信号的一种功用器件。

图像传感器分为光导摄像管和固态图像传感器。与光导摄像管相比，固态图像传感用具有体积小、重量轻、集成度高、分辨率高、功耗低、寿命长、价钱低等特性。因此在各个行业得到了普遍应用。

A1330驱动ic与传统IC比较

A1330器件的双芯片封装版本采用堆叠式封装，与传统的并排式封装技术相比，A1330器件信道间的一致性更好。在安全性非常关键的应用中，电流霍尔传感器ic a1593，需要对两个芯片的输出进行比较，以确保系统的安全运行，这种一致性参数非常重要。A1330的单芯片和双芯片版本均采用扁平型、无铅、8引脚TSSOP封装，引脚框为100％雾锡电镀。

1995 年，大岭山镇传感器ic，由美国麻省理工学院和日本东北大学的两个研究小组***发现，将两个磁性电极层之间用极薄的绝缘层分开会产生很大的磁电阻效应(室温下达到11%)。这种由磁性层/绝缘层/磁性层构成的结构，单圈角度传感器ic，称为磁性隧道结(MTJ)。在MTJ 中，中间的绝缘层很薄(几个纳米)，使得可以有大量电子隧穿通过。通过隧道结的电流依赖于两个磁性层的磁化强度矢量的相对取向。这种隧穿电流随外磁场变化的效应被称为隧道磁电阻(TMR)效应。隧道磁电阻效应可以由Julliere 双电流模型解释。假定电子在隧穿过程中自旋不发生翻转，并且隧穿电流正比于费米面附近电子的态密度。当MTJ两侧铁磁层处于平行排列时，左侧的少子电子向右侧的少子空态隧穿，左侧的多子电子向右侧的多子空态隧穿，MTJ 处于低阻态；当MTJ两侧铁磁层处于反平行排列时，左侧的少子电子向右侧的多子空态隧穿，而左侧的多子电子向右侧的少子空态隧穿，MTJ 呈现高阻态。

由于贴合TMR器件与超导磁放大器的低温胶过厚导致TMR—超导磁放大器间距过大(50 μm)，使得TMR/超导复合式磁传感器的灵敏度、探测精度较GMR/超导复合式磁传感器、SQUID 等器件仍有明显差距。理论计算表明，传感器ic原理，减小TMR—超导磁放大器间距将使得磁场放大倍数呈指数形式上升；若能将TMR—超导磁放大器间距降低至0.5 μm以内，磁场放大倍数可接近1000 倍。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距，从而提高器件的灵敏度。

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