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LED驱动电源是否一定要用(mosfet器件)MOS管应从产品性价比、系统来散热（包括电源本身和灯具）几方面考虑，并不一定要求LED电源要用MOS管：

1、从散源热角度考虑：LED驱动电源和LED灯珠既是热源体又是受热体，根据多年设计经验，我们赛明源电源在设计30W以上电源时全部使用MOS管与控制IC分离方案。因为百，就现有技术（截止2015年）内置MOS管方案超过30W以上电源散热就是问题，系统很难保证其稳定性；

2、从度性价比上考虑：在设计30W以下LED电源时，赛明知源电源有些采用内置MOS管方案道，因为这种方案已经成熟，散热不是问题，系统稳定性较高。小功率LED电源可以不用考虑使用MOS，驱动ic芯片图片，再说内置MOS方案EMC指标很容易通过。

从结构上看，无线充电发射端芯片主要由驱动芯片、MOS芯片和主芯片三部分组成。单片机方案下，龙门驱动ic芯片，控制芯片、驱动芯片、运放全部***，外围元件也相当多，继电器驱动ic芯片，总而言之，非常复杂，元器件太多。原材料品种繁多，生产试验流程复杂，不利于产品的快速开发、生产和销售。

即Systemonachip，它是指在一块芯片上集成一个完整系统。当前对SoC方案的一些比较常见的定义是：SoC即主控制和驱动集成。但是也有声音表示这种说法并不准确，主控、驱动、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定义，暂且先以种表述为准。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P 基极注入到N 一层的空穴（少子），专用驱动ic芯片，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。